APG020N01GD datasheet, аналоги, параметры транзистора

APG020N01GD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG020N01GD 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 469 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-D

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для APG020N01GD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:993K allpower
apg020n01gd.pdf pdf_icon

9.1. Size:1195K allpower
apg028n10.pdf pdf_icon

9.2. Size:671K allpower
apg024n04g.pdf pdf_icon

9.3. Size:1514K allpower
apg022n06g.pdf pdf_icon