APG022N06G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG022N06G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG022N06G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG022N06G даташит

 ..1. Size:1514K  allpower
 apg022n06g.pdf pdf_icon

APG022N06G

 9.1. Size:993K  allpower
 apg020n01gd.pdf pdf_icon

APG022N06G

 9.2. Size:1195K  allpower
 apg028n10.pdf pdf_icon

APG022N06G

 9.3. Size:671K  allpower
 apg024n04g.pdf pdf_icon

APG022N06G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9565K, AP9N20K, APC60R030WMF, APC65R190FM, APG011N03G, APG011N04G, APG013N04G, APG020N01GD, IRF3205, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G, APG035N04Q, APG038N01G, APG042N01D, APG045N85, APG070N12G