APG035N04Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG035N04Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 462 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG035N04Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG035N04Q даташит

 ..1. Size:1402K  allpower
 apg035n04q.pdf pdf_icon

APG035N04Q

APG035N04Q N-Channel Enhancement Mosfet Feature 40V,100A R

 9.1. Size:779K  allpower
 apg032n04g.pdf pdf_icon

APG035N04Q

 9.2. Size:780K  allpower
 apg038n01g.pdf pdf_icon

APG035N04Q

Другие IGBT... APG011N03G, APG011N04G, APG013N04G, APG020N01GD, APG022N06G, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G, 20N60, APG038N01G, APG042N01D, APG045N85, APG070N12G, APG078N07, APG078N07K, APG080N12, APG082N01