APG070N12G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG070N12G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 404 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG070N12G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG070N12G даташит

 ..1. Size:2020K  allpower
 apg070n12g.pdf pdf_icon

APG070N12G

 9.1. Size:1695K  1
 apg077n01g.pdf pdf_icon

APG070N12G

 9.2. Size:740K  allpower
 apg078n07.pdf pdf_icon

APG070N12G

 9.3. Size:1082K  allpower
 apg078n07k.pdf pdf_icon

APG070N12G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APG022N06G, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G, APG035N04Q, APG038N01G, APG042N01D, APG045N85, 50N06, APG078N07, APG078N07K, APG080N12, APG082N01, APG095N01, APG095N01K, APG250N01Q, APP50N06