APG078N07K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG078N07K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG078N07K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG078N07K даташит

 ..1. Size:1082K  allpower
apg078n07k.pdfpdf_icon

APG078N07K

 5.1. Size:740K  allpower
apg078n07.pdfpdf_icon

APG078N07K

 9.1. Size:1695K  1
apg077n01g.pdfpdf_icon

APG078N07K

 9.2. Size:1695K  allpower
apg077n01g.pdfpdf_icon

APG078N07K

Другие IGBT... APG028N10, APG032N04G, APG035N04Q, APG038N01G, APG042N01D, APG045N85, APG070N12G, APG078N07, IRFP460, APG080N12, APG082N01, APG095N01, APG095N01K, APG250N01Q, APP50N06, APP540, APG045N85D