APG250N01Q datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: APG250N01Q 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3-8L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для APG250N01Q
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APG250N01Q даташит
Другие IGBT... APG045N85, APG070N12G, APG078N07, APG078N07K, APG080N12, APG082N01, APG095N01, APG095N01K, IRFZ44, APP50N06, APP540, APG045N85D, APG046N01G, APG050N85, APG050N85D, APG054N10, APG054N10D
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: HGB046NE6A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972

