APG046N01G datasheet, аналоги, параметры транзистора

APG046N01G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG046N01G 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1060 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для APG046N01G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:778K allpower
apg046n01g.pdf pdf_icon

9.1. Size:810K allpower
apg045n85d.pdf pdf_icon

9.2. Size:1107K allpower
apg042n01d.pdf pdf_icon

9.3. Size:861K allpower
apg045n85.pdf pdf_icon