APG060N85D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG060N85D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 628 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG060N85D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG060N85D даташит

 ..1. Size:948K  allpower
 apg060n85d.pdf pdf_icon

APG060N85D

 9.1. Size:427K  allpower
 apg068n04q.pdf pdf_icon

APG060N85D

 9.2. Size:870K  allpower
 apg068n04g.pdf pdf_icon

APG060N85D

Другие IGBT... APP50N06, APP540, APG045N85D, APG046N01G, APG050N85, APG050N85D, APG054N10, APG054N10D, IRF9540, APG068N04G, APG068N04Q, AO3480, AO3481C, AOB29S50L, AOB380A60L, AOK033V120X2, AOK033V120X2Q