AOK065V65X2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOK065V65X2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AOK065V65X2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOK065V65X2 даташит

 ..1. Size:1136K  aosemi
aok065v65x2.pdfpdf_icon

AOK065V65X2

AOK065V65X2 650V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 650V DS J, max Low loss, fast switching speeds with low R G I 85A DM Optimized drive voltage (V =15V) GS R 65m DS(ON), typ for broad driver compatibility Q 104nC rr Robust body diode and low Qrr E @ 400V 11 J OSS 100% UIS Tested App

 7.1. Size:924K  aosemi
aok065v120x2.pdfpdf_icon

AOK065V65X2

AOK065V120X2 1200 V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 1200 V DS J, max Low loss, fast switching speeds with low R G I 85 A DM Optimized drive voltage (V = 15 V) GS R 65 m DS(ON), typ for broad driver compatibility Q 155 nC rr Robust body diode and low Qrr E @ 800 V 30 J OSS 100% UI

 8.1. Size:470K  aosemi
aok065a60.pdfpdf_icon

AOK065V65X2

AOK065A60 TM 600V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 168A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 8.2. Size:470K  aosemi
aok065a60fd.pdfpdf_icon

AOK065V65X2

AOK065A60FD TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 200A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... APG068N04Q, AO3480, AO3481C, AOB29S50L, AOB380A60L, AOK033V120X2, AOK033V120X2Q, AOK065V120X2, IRFP064N, AOK500V120X2, AOM033V120X2, AOM065V120X2Q, AONV070V65G1, AOTF11S60L, AOTF27S60L, AOTF950A70L, AOB42S60L