ADQ120N080G2 - описание и поиск аналогов

 

ADQ120N080G2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ADQ120N080G2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-247-4L

Аналог (замена) для ADQ120N080G2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ADQ120N080G2 даташит

 ..1. Size:1184K  cn anhi
 adq120n080g2 adw120n080g2 adg120n080g2.pdf pdf_icon

ADQ120N080G2

ADQ120N080G2, ADW120N080G2, ADG120N080G2 1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET 1. Applications Asymmetrical Bridge Converter Inverter Single Switch Forward Flyback 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 80m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2 to 4 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 1200 V

Другие MOSFET... AOSS62934 , AON5802 , 2N7002KH , 2N7002KM , AS2310A , 2N7002EY , AS6004 , ADG120N080G2 , 8N60 , ADW120N080G2 , ASA50R130E , ASA60R090EFD , ASA60R090EFDA , ASA60R150E , , , .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.