ASA65R550E - описание и поиск аналогов

 

ASA65R550E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASA65R550E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для ASA65R550E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASA65R550E даташит

 ..1. Size:598K  cn anhi
asa65r550e asu65r550e asd65r550e.pdfpdf_icon

ASA65R550E

ASA 0E, ASU 0E, ASD A65R550 U65R550 D65R550E MOSFET Silico nel MOS on N-Chann 1. Applicatio ons Boost PFC switch, single-ended flyb transistor forw back or two-t rward topologies. PD Adaptor ED lighting. r, LCD & PDP TV and LE 2. Features Low drain- esistance R 0.50 (typ.) -source on-re RDS(ON) = 0 Easy to co ontrol Gate switching Enhancem Vth = 2.8 to 4 ment mode

 8.1. Size:1451K  cn anhi
asw65r120efd asa65r120efd asr65r120efd.pdfpdf_icon

ASA65R550E

ASW65R120EFD, ASA65R120EFD, ASR65R120EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge and full bridge topologies. Server power, Telecom power, EV charging, Solar inverter, UPS Application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.105 (typ.) Easy to control Gate switching E

 8.2. Size:1101K  cn anhi
asa65r850e asu65r850e asd65r850e.pdfpdf_icon

ASA65R550E

ASA65R850E, ASU65R850E, ASD65R850E , ASU65R850E, ASD65R850E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch,single-ended flyback or ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor,LCD & PDP TV and Adaptor,LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.750 (typ.) resistance RDS(ON) = 0.750 (typ.

 8.3. Size:855K  cn anhi
asa65r300e asd65r300e asb65r300e.pdfpdf_icon

ASA65R550E

ASA65R300E, ASD65R300E,ASB65R300E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward, HB or AHB or LLC topologies. For PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV, LED Lighting, Server power, UPS application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.278 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode V

Другие MOSFET... ASA60R280E , ASA60R330E , ASA65R120EFD , ASA65R220E , ASA65R270E , ASA65R280E , ASA65R300E , ASA65R350E , EMB04N03H , ASA65R850E , ASA70R240E , ASA70R380E , ASA70R600E , ASA70R950E , ASA80R290E , ASA80R750E , ASA80R900E .

History: ASB65R300E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.