ASA70R950E - описание и поиск аналогов

 

ASA70R950E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASA70R950E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 750 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для ASA70R950E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASA70R950E даташит

 ..1. Size:700K  cn anhi
 asa70r950e asd70r950e ase70r950e.pdf pdf_icon

ASA70R950E

ASA70R950E,ASD70R950E,ASE70R950E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback. PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.870 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 750 V DS @ T j,max R 950 DS(o

 8.1. Size:1045K  cn anhi
 asa70r600e.pdf pdf_icon

ASA70R950E

ASA70R600E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PD Adaptor,LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.540 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V Table 1 Key PerformanceParameters Parameter Value Unit V 750 V DS @ T j,max

 8.2. Size:1326K  cn anhi
 asa70r600e asu70r600e asd70r600e.pdf pdf_icon

ASA70R950E

ASA70R600E ASU70R600E ASD70R600E ASU70R600E ASD70R600E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward transistor forward topologies. PD Adaptor,LCD & PDP TV and LED LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0. RDS(ON) = 0.540 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V E

 8.3. Size:1103K  cn anhi
 asa70r380e asd70r380e asb70r380e.pdf pdf_icon

ASA70R950E

ASA70R380E, ASD70R380 380E, ASB70R380E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor,LCD & PDP TV and Adaptor,LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) resistance RDS(ON) = 0.346 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ASA65R280E , ASA65R300E , ASA65R350E , ASA65R550E , ASA65R850E , ASA70R240E , ASA70R380E , ASA70R600E , 60N06 , ASA80R290E , ASA80R750E , ASA80R900E , ASB60R150E , ASB65R120EFD , ASB65R220E , ASB65R300E , ASB70R380E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.