ASD65R280E - описание и поиск аналогов

 

ASD65R280E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASD65R280E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40.67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ASD65R280E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASD65R280E даташит

 ..1. Size:1230K  cn anhi
asa65r280e asd65r280e asm65r280e.pdfpdf_icon

ASD65R280E

ASA65R280E, ASD65R280E, ASM65R280E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 240m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Val

 7.1. Size:937K  cn anhi
asd65r270e asa65r270e.pdfpdf_icon

ASD65R280E

ASD65R270E, ASA65R270E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 236m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit VD

 8.1. Size:1101K  cn anhi
asa65r850e asu65r850e asd65r850e.pdfpdf_icon

ASD65R280E

ASA65R850E, ASU65R850E, ASD65R850E , ASU65R850E, ASD65R850E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch,single-ended flyback or ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor,LCD & PDP TV and Adaptor,LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.750 (typ.) resistance RDS(ON) = 0.750 (typ.

 8.2. Size:855K  cn anhi
asa65r300e asd65r300e asb65r300e.pdfpdf_icon

ASD65R280E

ASA65R300E, ASD65R300E,ASB65R300E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward, HB or AHB or LLC topologies. For PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV, LED Lighting, Server power, UPS application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.278 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode V

Другие MOSFET... ASB65R120EFD , ASB65R220E , ASB65R300E , ASB70R380E , ASB80R750E , ASD60R280E , ASD60R330E , ASD65R270E , IRFZ44 , ASD65R300E , ASD65R350E , ASD65R550E , ASD65R850E , ASD70R380E , ASD70R600E , ASD70R950E , ASD80R750E .

History: ASD60R330E | ASD65R550E | ASD60R280E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.