ASR65R046EFD - описание и поиск аналогов

 

ASR65R046EFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASR65R046EFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 101.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TOLL-8L

Аналог (замена) для ASR65R046EFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASR65R046EFD даташит

 ..1. Size:1257K  cn anhi
 asw65r046efd asq65r046efd asr65r046efd.pdf pdf_icon

ASR65R046EFD

ASW65R046EFD, ASQ65R046EFD, ASR65R046EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 39m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 3.2 to 4.5 V Table 1 Key Performance Parameters Paramete

 8.1. Size:1451K  cn anhi
 asw65r120efd asa65r120efd asr65r120efd.pdf pdf_icon

ASR65R046EFD

ASW65R120EFD, ASA65R120EFD, ASR65R120EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge and full bridge topologies. Server power, Telecom power, EV charging, Solar inverter, UPS Application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.105 (typ.) Easy to control Gate switching E

 8.2. Size:1113K  cn anhi
 asw65r120efd asa65r120efd asr65r120efd asb65r120efd.pdf pdf_icon

ASR65R046EFD

ASW65R120EFD, ASA65R120EFD, ASR65R120EFD, ASB65R120EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge and full bridge topologies. Server power, Telecom power, EV charging, Solar inverter, UPS Application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.105 (typ.) Easy to control Ga

Другие MOSFET... ASD70R380E , ASD70R600E , ASD70R950E , ASD80R750E , ASE70R950E , ASM60R330E , ASM65R280E , ASQ65R046EFD , 2N7000 , ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E , ASU70R600E , , , .

History: ASR65R120EFD | ASU65R350E | ASU65R550E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.