ASW60R150E - описание и поиск аналогов

 

ASW60R150E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASW60R150E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для ASW60R150E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASW60R150E даташит

 ..1. Size:816K  cn anhi
asa60r150e asw60r150e asb60r150e.pdfpdf_icon

ASW60R150E

ASA60R150E, ASW60R150E, ASB60R150E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward, Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge topologies. PC power, Adaptor, LCD & PDP TV,LED Lighting, Server power, Telecom power, and UPS Application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.1

 8.1. Size:1044K  cn anhi
asa60r090efd asw60r090efd.pdfpdf_icon

ASW60R150E

ASA60R090EFD, ASW60R090E ASW60R090EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Soft Switching Boost PFC switch,Half bridge or Asymmetric half bridge or Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge and full bridge topologies. phase-shift-bridge(ZVS),LLC Application bridge(ZVS),LLC Application-Server Power, Telecom Power,EV Charging,Solar inverter So

 8.2. Size:907K  cn anhi
asa60r090efda asw60r090efda.pdfpdf_icon

ASW60R150E

 8.3. Size:994K  cn anhi
asw60r029efd.pdfpdf_icon

ASW60R150E

ASW60R029EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications For Soft Switching Boost PFC switch, HB or AHB or LLC half bridge and full bridge topologies. Such as phase-shift-bridge(ZVS),LLC Application-Server Power, Telecom Power, EV Charging, Solar inverter. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.025 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode

Другие MOSFET... ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E , ASU70R600E , ASW60R029EFD , ASW60R090EFD , ASW60R090EFDA , STP75NF75 , ASW65R041E , ASW65R041EFDA , ASW65R046EFD , ASW65R095EFD , ASW65R110E , ASW65R120EFD , ASW80R290E , AUA039N10 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.