Справочник MOSFET. ZXMN10A09K

 

ZXMN10A09K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN10A09K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.2 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1313 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN10A09K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  diodes
zxmn10a09k.pdfpdf_icon

ZXMN10A09K

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMN10A09K 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low input capacitance ID V(BR)DSS RDS(on) Low on-resistance TA = 25C Fast switching speed 85m @ VGS = 10V 7.7A Green Component and RoHS compliant (Note 1) 100V

 ..2. Size:655K  diodes
zxmn10a09k zxmn10a09ktc.pdfpdf_icon

ZXMN10A09K

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMN10A09K 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low input capacitance ID V(BR)DSS RDS(on) Low on-resistance TA = 25C Fast switching speed 85m @ VGS = 10V 7.7A Green Component and RoHS compliant (Note 1) 100V

 6.1. Size:174K  diodes
zxmn10a08e6ta zxmn10a08e6tc.pdfpdf_icon

ZXMN10A09K

A Product Line ofDiodes Incorporated ZXMN10A08E6100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistanceMax ID Fast switching speed V(BR)DSS Max RDS(on) TA = 25C Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Note 1) (Note 5) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 2) 250m @ VGS = 10V 1.9A Qualified t

 6.2. Size:265K  diodes
zxmn10a07fta zxmn10a07ftc.pdfpdf_icon

ZXMN10A09K

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMN10A07F100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 PACKAGE Product Summary Features Low On-ResistanceID Low ThresholdBVDSS RDS(ON) Max TA = +25C (Note 6) Fast Switching Speed 700m @ VGS = 10V 0.76A Low Gate Drive 100V 900m @ VGS = 6V 0.67A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Hal

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.