AUB033N08BG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AUB033N08BG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1292 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для AUB033N08BG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AUB033N08BG даташит
aub033n08bg aup033n08bg auw033n08bg.pdf
AUB 8BG A N08BG 033N08BG B033N08 AUP033N AUW0 MO con N-Chan OSFET Silic nnel MOS 1. Applicatio ons Synchronou on in SMPS, us rectificatio Hard switch h speed circu hing and High uit DC/DC in te elecoms and inductrial 2. Features Low drain-s sistance RD 9m (typ.) source on-res DS(ON) = 2.9 High speed power switc ching Enhanced b dv/dt capability body diod
aun036n10 aup039n10 aua039n10 aub039n10.pdf
AUN036N10, AUP039N10, AUA039N10, AUB039N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance DFN5x6 RDS(ON) = 3.3m (typ.) TO220&220F&263 RDS(ON) = 3.6m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 1.2 to
aup034n10 aub034n10.pdf
AUP034N10, AUB034N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(on) = 2.9m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced avalanche ruggedness Table 1 Key Performance Parameters Par
aup034n10 aub034n10 aur030n10.pdf
AUP034N10, AUB034N10, AUR030N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance TO220&TO263 RDS(on) = 2.8m (typ.) TOLL-8L RDS(on) = 2.4m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced ava
Другие MOSFET... ASW65R110E , ASW65R120EFD , ASW80R290E , AUA039N10 , AUA056N08BGL , AUA060N08AG , AUA062N08BG , AUB026N085 , AON7410 , AUB034N10 , , , , , , , .
History: ASW65R120EFD | AUB026N085 | AUA062N08BG | ASW65R110E | AUA039N10
History: ASW65R120EFD | AUB026N085 | AUA062N08BG | ASW65R110E | AUA039N10
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet




