AUB033N08BG - описание и поиск аналогов

 

AUB033N08BG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUB033N08BG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1292 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AUB033N08BG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUB033N08BG даташит

 ..1. Size:471K  cn anhi
aub033n08bg aup033n08bg auw033n08bg.pdfpdf_icon

AUB033N08BG

AUB 8BG A N08BG 033N08BG B033N08 AUP033N AUW0 MO con N-Chan OSFET Silic nnel MOS 1. Applicatio ons Synchronou on in SMPS, us rectificatio Hard switch h speed circu hing and High uit DC/DC in te elecoms and inductrial 2. Features Low drain-s sistance RD 9m (typ.) source on-res DS(ON) = 2.9 High speed power switc ching Enhanced b dv/dt capability body diod

 9.1. Size:970K  cn anhi
aun036n10 aup039n10 aua039n10 aub039n10.pdfpdf_icon

AUB033N08BG

AUN036N10, AUP039N10, AUA039N10, AUB039N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance DFN5x6 RDS(ON) = 3.3m (typ.) TO220&220F&263 RDS(ON) = 3.6m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 1.2 to

 9.2. Size:1575K  cn anhi
aup034n10 aub034n10.pdfpdf_icon

AUB033N08BG

AUP034N10, AUB034N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(on) = 2.9m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced avalanche ruggedness Table 1 Key Performance Parameters Par

 9.3. Size:966K  cn anhi
aup034n10 aub034n10 aur030n10.pdfpdf_icon

AUB033N08BG

AUP034N10, AUB034N10, AUR030N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance TO220&TO263 RDS(on) = 2.8m (typ.) TOLL-8L RDS(on) = 2.4m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced ava

Другие MOSFET... ASW65R110E , ASW65R120EFD , ASW80R290E , AUA039N10 , AUA056N08BGL , AUA060N08AG , AUA062N08BG , AUB026N085 , AON7410 , AUB034N10 , , , , , , , .

History: ASW65R120EFD | AUB026N085 | AUA062N08BG | ASW65R110E | AUA039N10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.