AUP060N055. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUP060N055

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1416 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AUP060N055

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUP060N055 даташит

 ..1. Size:1094K  cn anhi
 aud060n055 aun042n055 aub050n055 aup060n055.pdf pdf_icon

AUP060N055

AUD060N055,AUN042N055,AUB050N055,AUP060N055 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance TO252 RDS(ON) = 4m (typ.) DFN5X6 RDS(ON) = 3.6m (typ.) TO263&TO220 RDS(ON) = 4.3m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement

 6.1. Size:502K  cn anhi
 aua060n08ag aub060n08ag aup060n08ag aun060n08ag aud060n08ag.pdf pdf_icon

AUP060N055

AUA 8AG, AU N08AG, AUP060 G, A060N08 UB060N 0N08AG AUN 8AG, AU N08AG N060N08 UD060N MO con N-Chan OSFET Silic nnel MOS 1. Applicatio ons Synchronou on in SMPS, us rectificatio Hard switch h speed circu hing and High uit DC/DC in te elecoms and inductrial 2. Features Low drain-s sistance RD 6m (typ.) source on-res DS(ON) = 5.6 High speed power switc ching Enhance

 9.1. Size:635K  cn anhi
 aun065n10 aup065n10.pdf pdf_icon

AUP060N055

AUN065N10,AUP065N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous Rectification, Power Management, Load Switch 2. Features Proprietary New Trench Technology Fast Recovery Body Diode Low Gate Charge Minimize Switching Loss Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 100 V DS @ T j,max R 6.5 DS(on),max m Q 67 nC g,typ I 304 A D,pulse

 9.2. Size:498K  cn anhi
 aua062n08bg aub062n08bg aup062n08bg aun062n08bg aud062n08bg.pdf pdf_icon

AUP060N055

AUA 8BG, AU N08BG, AUP062 G, A062N08 UB062N 2N08BG AUN 8BG, AU N08BG N062N08 UD062N MO con N-Chan OSFET Silic nnel MOS 1. Applicatio ons Synchronou on in SMPS, us rectificatio Hard switch h speed circu hing and High uit DC/DC in te elecoms and inductrial 2. Features Low drain-s sistance RD 6m (typ.) source on-res DS(ON) = 5.6 High speed power switc ching Enhance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUP033N08BG, AUP034N06, AUP034N10, AUP039N10, AUP045N12, AUP052N085, AUP056N08BGL, AUP056N10, IRFB31N20D