Справочник MOSFET. ZXMN10A25K

 

ZXMN10A25K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZXMN10A25K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9.6 nC
   Выходная емкость (Cd): 859 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK

 Аналог (замена) для ZXMN10A25K

 

 

ZXMN10A25K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  diodes
 zxmn10a25k.pdf

ZXMN10A25K ZXMN10A25K

ZXMN10A25K100V DPAK N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) (V) ID (A)0.125 @ VGS= 10V 6.41000.150 @ VGS= 6V 5.8DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure combining the benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resistanc

 0.1. Size:187K  diodes
 zxmn10a25ktc.pdf

ZXMN10A25K ZXMN10A25K

A Product Line ofDiodes IncorporatedGreenZXMN10A25K100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance Max ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Fast Switching Speed TA = +25C Low Gate Drive 125m @ VGS= 10V 6.4A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) TO252 100V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note

 5.1. Size:625K  diodes
 zxmn10a25g.pdf

ZXMN10A25K ZXMN10A25K

ZXMN10A25G100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A)0.125 @ VGS= 10V 41000.150 @ VGS= 6V 3.7DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure which combininthe benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resist

 5.2. Size:623K  zetex
 zxmn10a25gta.pdf

ZXMN10A25K ZXMN10A25K

ZXMN10A25G100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A)0.125 @ VGS= 10V 41000.150 @ VGS= 6V 3.7DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure which combininthe benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resist

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top