QM3126M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM3126M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: PRPAK3X3

Аналог (замена) для QM3126M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM3126M3 даташит

No data!

Другие IGBT... AUP034N06, AUP034N10, AUP039N10, AUP045N12, AUP052N085, AUP056N08BGL, AUP056N10, AUP060N055, STP65NF06, AP220N04P, AP220N04T, HYG053N10NS1P, HYG053N10NS1B, AUP060N08AG, AUP062N08BG, AUP065N10, AUP074N10