HYG053N10NS1B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HYG053N10NS1B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 93 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HYG053N10NS1B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG053N10NS1B даташит

 ..1. Size:420K  1
 hyg053n10ns1p hyg053n10ns1b.pdf pdf_icon

HYG053N10NS1B

HYG053N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/120A RDS(ON)=4.8 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Battery management N-Channel MOSFET

 9.1. Size:746K  1
 hyg055n08ns1c2.pdf pdf_icon

HYG053N10NS1B

HYG055N08NS1C2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/85A D D D D D D D D RDS(ON)=4.8 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6 8L - Applications Switching application Power management for inverter systems Motor contr

 9.2. Size:901K  1
 hyg055n08ns1p hyg055n08ns1b.pdf pdf_icon

HYG053N10NS1B

HYG055N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/120A RDS(ON)=5.3 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged D G Lead-Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Motor control N

 9.3. Size:822K  hymexa
 hyg050n08ns1p hyg050n08ns1b.pdf pdf_icon

HYG053N10NS1B

HYG050N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/130A RDS(ON)= 4 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged D G Lead-Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Chan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUP052N085, AUP056N08BGL, AUP056N10, AUP060N055, QM3126M3, AP220N04P, AP220N04T, HYG053N10NS1P, IRFZ46N, AUP060N08AG, AUP062N08BG, AUP065N10, AUP074N10, AUR014N10, AUR020N085, AUR020N10, AUR030N10