AUR030N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUR030N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для AUR030N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUR030N10 даташит

 ..1. Size:966K  cn anhi
 aup034n10 aub034n10 aur030n10.pdf pdf_icon

AUR030N10

AUP034N10, AUB034N10, AUR030N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance TO220&TO263 RDS(on) = 2.8m (typ.) TOLL-8L RDS(on) = 2.4m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced ava

Другие IGBT... HYG053N10NS1B, AUP060N08AG, AUP062N08BG, AUP065N10, AUP074N10, AUR014N10, AUR020N085, AUR020N10, RU7088R