AP12A390YT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP12A390YT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

Аналог (замена) для AP12A390YT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP12A390YT даташит

 ..1. Size:66K  ape
 ap12a390yt.pdf pdf_icon

AP12A390YT

AP12A390YT Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 Simple Drive Requirement BVDSS 120V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 390m D2 RoHS Compliant & Halogen-Free ID3 1.7A S1 G1 D1 D1 D2 D2 S2 G2 Description PMPAK 3x3 AP12A390 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technolo

Другие IGBT... AUP065N10, AUP074N10, AUR014N10, AUR020N085, AUR020N10, AUR030N10, AUW025N10, AUW033N08BG, AO4407A, AP2P053Y, AP3N5R0MT, AP3N9R5MT, AP3N9R5YT, AP3P020H, AP3P050AH, AP4024GEMT-HF, AP4NAR95CMT-A