SVF11N65F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF11N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34.51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.84 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVF11N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF11N65F даташит

 ..1. Size:284K  1
 svf11n65t svf11n65f.pdf pdf_icon

SVF11N65F

SVF11N65T/F_Datasheet 11A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION The SVF11N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swi

Другие IGBT... AP4024GEMT-HF, AP4NAR95CMT-A, AP65SA145DDT8, AP6NA3R2MT, CRTT067N10N, EHBA036R1, FKBB3105, SVF11N65T, IRF640