ASDM100R750PKQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ASDM100R750PKQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ASDM100R750PKQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM100R750PKQ даташит

 ..1. Size:568K  ascend
asdm100r750pkq.pdfpdf_icon

ASDM100R750PKQ

ASDM100R750PKQ -100V P-Channel MOSFET General Features Product Summary Split gate trench MOSFET technology V DS -100 V Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss R DS(on),Typ@ VGS=-10 V 75 m Excellent stability and uniformity I D -20 A Application Power management Portable equipment D G S P-channel TO-252 Absolute Maximum Ratings (T =25 unless

 6.1. Size:552K  ascend
asdm100r066nq.pdfpdf_icon

ASDM100R750PKQ

ASDM100R066NQ 100V N-CHANNEL MOSFET Features Product Summary Advanced Trench MOS Technology 100 V Low Gate Charge VDS RDS(on),Typ 5.9 @ VGS=10V m Low R DS(ON) ID 68 A 100% EAS Guaranteed Green Device Available Applications Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial. D G S

 6.2. Size:854K  ascend
asdm100r160nkq.pdfpdf_icon

ASDM100R750PKQ

ASDM100R160NKQ 100V N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary Low R & FOM DS(on) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity V DS 100 V Fast switching and soft recovery R DS(on),Typ@ VGS=10 V 14 m Applications I D A 45 Power switching application Hard switched and high frequency circuits Uninterruptible

 6.3. Size:1441K  ascend
asdm100r090np.pdfpdf_icon

ASDM100R750PKQ

ASDM100R090NP 100V N-CHANNEL MOSFET Product Summary Features High Speed Power Switching, Logic Level VDS 100 V Enhanced Body diode dv/dt capability RDS(on),typ m VGS=10V 9 Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID 75 A Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circu

Другие IGBT... FTF25N35DHVT, FTF30P35D, ASDM100N15KQ, ASDM100N34KQ, ASDM100R045NQ, ASDM100R066NQ, ASDM100R090NP, ASDM100R160NKQ, AON7408