ASDM12N65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ASDM12N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для ASDM12N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM12N65F даташит

 ..1. Size:570K  ascend
asdm12n65f.pdfpdf_icon

ASDM12N65F

ASDM12N65F 650V N-Channel Power MOSFET Product Summary Features Low Gate Charge Low ON Resistance V DS 650 V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested R DS(on),Typ@ VGS=10 V 0.65 RoHS compliant I D 12 A Applications Switching Mode Power Supplies (SMPS) PWM Motor Controls AC to DC Converters LED Lighting Adapter ABSOLUTE MAXIMU

 9.1. Size:822K  ascend
asdm100n15kq.pdfpdf_icon

ASDM12N65F

ASDM100N15KQ 100V N-CHANNEL MOSFET Features Product Summary 100V,15A R =95m (Typ.) @ V = 10V DS(ON) GS V DS 100 V R =100m (Typ.) @ V = 4.5V DS(ON) GS Low Total Gate Charge R DS(on),TYP@ VGS=10 V 95 m Low Reverse Transfer Capacitance Improved dv/dt Capability 15 A ID Fast Switching Speed Application Uninterruptible Power Su

 9.2. Size:568K  ascend
asdm100r750pkq.pdfpdf_icon

ASDM12N65F

ASDM100R750PKQ -100V P-Channel MOSFET General Features Product Summary Split gate trench MOSFET technology V DS -100 V Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss R DS(on),Typ@ VGS=-10 V 75 m Excellent stability and uniformity I D -20 A Application Power management Portable equipment D G S P-channel TO-252 Absolute Maximum Ratings (T =25 unless

 9.3. Size:552K  ascend
asdm100r066nq.pdfpdf_icon

ASDM12N65F

ASDM100R066NQ 100V N-CHANNEL MOSFET Features Product Summary Advanced Trench MOS Technology 100 V Low Gate Charge VDS RDS(on),Typ 5.9 @ VGS=10V m Low R DS(ON) ID 68 A 100% EAS Guaranteed Green Device Available Applications Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial. D G S

Другие IGBT... FTF30P35D, ASDM100N15KQ, ASDM100N34KQ, ASDM100R045NQ, ASDM100R066NQ, ASDM100R090NP, ASDM100R160NKQ, ASDM100R750PKQ, 2SK3878