ASDM20N90Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ASDM20N90Q

Маркировка: 20N90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 36.6 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8

Аналог (замена) для ASDM20N90Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM20N90Q даташит

 ..1. Size:267K  ascend
asdm20n90q.pdfpdf_icon

ASDM20N90Q

ASDM20N90Q 20V N-CHANNEL MOSFET Feature Product Summary 100% EAS Guaranteed V DS 20 V Green Device Available RDS(on),TYP@VGS=10V 1.5 m Super Low Gate Charge RDS(on),TYP@VGS=4.5V 1.8 m Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology I D 90 A Application Power Management in Inverter System top view PDFN5*6-8 Maximum rati

 7.1. Size:491K  ascend
asdm20n12zb.pdfpdf_icon

ASDM20N90Q

ASDM20N12ZB 20V N-CHANNEL MOSFET Product Summary Features 20V/12A V DS 20 V Super High Dense Cell Design R DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 11.5 m Reliable and Rugged I D 12 A Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications Portable Equipment and Battery Powered Systems. DC-DC converter Load Switch Top view D G S SOT-23-3 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C Unless O

 7.2. Size:413K  ascend
asdm20n100q.pdfpdf_icon

ASDM20N90Q

ASDM20N100Q 20V N-Channel MOSFET Product Summary General Description 20V /100A Single N Power MOSFET V DS 20 V Very low on-resistance RDS(on) @ R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1. 3 m VGS=4.5 V I D 100 A Pb-free lead plating; RoHS compliant DFN5x6-8 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 C 100 Continuous Drain Cur

 7.3. Size:1062K  ascend
asdm20n20kq.pdfpdf_icon

ASDM20N90Q

ASDM20N20KQ 20V N-Channel MOSFET Product Summary Features Super high dense cell design for BVDSS 20 V extremely low RDS(on) High power and current handing RDS(on),Typ.@VGS=4.5V 20 m capability Lead free product is acquired 20 ID A Application Load Switch PWM Application Power management Schematic diagram TO-252-2L top view Absolute Maximum Ratin

Другие IGBT... ASDM60N70Q, ASDM60N80KQ, ASDM60P12KQ, ASDM60R042NQ, ASDM6802ZC, ASDM68N80KQ, ASDM7002EZA, ASDM20N60, 5N60