ASDM30N100KQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ASDM30N100KQ  📄📄 

Маркировка: 3N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ASDM30N100KQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM30N100KQ даташит

 ..1. Size:805K  ascend
asdm30n100kq.pdfpdf_icon

ASDM30N100KQ

ASDM30N100KQ 30V N-Channel MOSFET Features Product Summary 100% EAS Guaranteed V DS 30 V Green Device Available R DS(on),Typ@ VGS=10 V 3.3 m Super Low Gate Charge I D 100 A Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology Application Lithium-Ion Secondary Batteries Load Switch DC-DC converters and Off-line UPS Motor Contro

 6.1. Size:871K  ascend
asdm30n120kq.pdfpdf_icon

ASDM30N100KQ

ASDM30N120KQ 30V N-Channel MOSFET Product Summary Features V DS 30 V Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V RDS(on),TYP@ VGS=10 V 2.5 m Fast Switching I D 120 A 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Schematic diagram TO-252-2L top view Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rat

 6.2. Size:596K  ascend
asdm30n150q.pdfpdf_icon

ASDM30N100KQ

ASDM30N150Q 30V N-Channel MOSFET Product Summary Features V DS 30 V High ruggedness Low Gate Charge (Typ 143nC) R DS(on),Typ@ VGS=10 V 1.7 m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested I D 150 A Application Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Inverter top view DFN5x6-8 Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VDSS Drain

 6.3. Size:510K  ascend
asdm30n120q.pdfpdf_icon

ASDM30N100KQ

ASDM30N120Q 30V N-Channel MOSFET Product Summary Features V DS 30 V Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V RDS(on),TYP@ VGS=10 V 2.1 m Fast Switching I D 120 A 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant top view DFN5x6-8 Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Unit 30 V V(BR

Другие IGBT... ASDM20N90Q, ASDM20P13S, ASDM2300ZA, ASDM2301, ASDM2305, ASDM3050KQ, ASDM30DN30E, ASDM30DN40E, STF13NM60N