ASDM30N120Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ASDM30N120Q  📄📄 

Маркировка: 30N120

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 63 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 434 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8

Аналог (замена) для ASDM30N120Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM30N120Q даташит

 ..1. Size:510K  ascend
 asdm30n120q.pdf pdf_icon

ASDM30N120Q

ASDM30N120Q 30V N-Channel MOSFET Product Summary Features V DS 30 V Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V RDS(on),TYP@ VGS=10 V 2.1 m Fast Switching I D 120 A 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant top view DFN5x6-8 Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Unit 30 V V(BR

 4.1. Size:871K  ascend
 asdm30n120kq.pdf pdf_icon

ASDM30N120Q

ASDM30N120KQ 30V N-Channel MOSFET Product Summary Features V DS 30 V Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V RDS(on),TYP@ VGS=10 V 2.5 m Fast Switching I D 120 A 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Schematic diagram TO-252-2L top view Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rat

 6.1. Size:805K  ascend
 asdm30n100kq.pdf pdf_icon

ASDM30N120Q

ASDM30N100KQ 30V N-Channel MOSFET Features Product Summary 100% EAS Guaranteed V DS 30 V Green Device Available R DS(on),Typ@ VGS=10 V 3.3 m Super Low Gate Charge I D 100 A Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology Application Lithium-Ion Secondary Batteries Load Switch DC-DC converters and Off-line UPS Motor Contro

 6.2. Size:596K  ascend
 asdm30n150q.pdf pdf_icon

ASDM30N120Q

ASDM30N150Q 30V N-Channel MOSFET Product Summary Features V DS 30 V High ruggedness Low Gate Charge (Typ 143nC) R DS(on),Typ@ VGS=10 V 1.7 m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested I D 150 A Application Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Inverter top view DFN5x6-8 Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VDSS Drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ASDM2300ZA, ASDM2301, ASDM2305, ASDM3050KQ, ASDM30DN30E, ASDM30DN40E, ASDM30N100KQ, ASDM30N120KQ, 2N60