B50T040F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: B50T040F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для B50T040F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

B50T040F даташит

 ..1. Size:363K  cn bps
 b50t040f.pdf pdf_icon

B50T040F

 9.1. Size:392K  cn bps
 b50t070f.pdf pdf_icon

B50T040F

Другие IGBT... BMDFN2302, BMS2301, BMS2302, BMSN3139, SI2301F, SI2309S, BL4N90, BLM3404, IRFP460