MSD60P16 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSD60P16  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSD60P16

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD60P16 даташит

 ..1. Size:553K  bruckewell
msd60p16.pdfpdf_icon

MSD60P16

MSD60P16 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDS(ON) and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

 9.1. Size:111K  motorola
msd602-r.pdfpdf_icon

MSD60P16

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MSD602 RT1/D NPN General Purpose Amplifier MSD602-RT1 Transistor Surface Mount COLLECTOR Motorola Preferred Device 3 3 2 2 1 1 BASE EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit CASE 318D 03, STYLE 1 SC 59 Collector Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc Collector Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc Emi

 9.2. Size:110K  motorola
msd601-r.pdfpdf_icon

MSD60P16

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MSD601 RT1/D NPN General Purpose Amplifier * MSD601-RT1 Transistors Surface Mount COLLECTOR MSD601-ST1 3 *Motorola Preferred Device 2 1 3 BASE EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) 2 1 Rating Symbol Value Unit Collector Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc CASE 318D 03, STYLE 1 Collector Emitter Voltage V(BR)CEO 50

 9.3. Size:146K  onsemi
msd601-rt1 msd601-st1.pdfpdf_icon

MSD60P16

MSD601-RT1, MSD601-ST1 Preferred Device NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit Collector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc 1 2 BASE EMITTER Collector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc Emitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 Vdc MARKING Coll

Другие IGBT... MS34P01, MS34P07, MS40N05, MS40P05, MS40P05AU, MS60P03, MSB100N023, MSD40P45, 8205A