MSD60P16 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MSD60P16 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: TO252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MSD60P16
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MSD60P16 даташит
msd60p16.pdf
MSD60P16 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDS(ON) and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The device meets the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.
msd602-r.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MSD602 RT1/D NPN General Purpose Amplifier MSD602-RT1 Transistor Surface Mount COLLECTOR Motorola Preferred Device 3 3 2 2 1 1 BASE EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit CASE 318D 03, STYLE 1 SC 59 Collector Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc Collector Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc Emi
msd601-r.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MSD601 RT1/D NPN General Purpose Amplifier * MSD601-RT1 Transistors Surface Mount COLLECTOR MSD601-ST1 3 *Motorola Preferred Device 2 1 3 BASE EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) 2 1 Rating Symbol Value Unit Collector Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc CASE 318D 03, STYLE 1 Collector Emitter Voltage V(BR)CEO 50
msd601-rt1 msd601-st1.pdf
MSD601-RT1, MSD601-ST1 Preferred Device NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit Collector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc 1 2 BASE EMITTER Collector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc Emitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 Vdc MARKING Coll
Другие IGBT... MS34P01, MS34P07, MS40N05, MS40P05, MS40P05AU, MS60P03, MSB100N023, MSD40P45, 8205A
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023 | MS60P03 | MS40P05AU | MS40P05 | MS40N05 | MS34P07 | MS34P01 | MS23P03 | MS23N06A | BPMS04N003M | BPM0405CG | BPM0306CG | BP0405SCG
Popular searches
irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530











