BC1012T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BC1012T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: SOT523

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BC1012T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BC1012T даташит

 ..1. Size:1576K  cn cbi
 bc1012t.pdf pdf_icon

BC1012T

Plastic-Encapsulate MOSFETS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SOT 523 Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected up to 2kV 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Drain Marking Code NA1 Gate Gate Protection So

 8.1. Size:1907K  cn cbi
 bc1012.pdf pdf_icon

BC1012T

Plastic-Encapsulate MOSFETS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected up to 2kV Marking Code NA1 Maximum Ratings @T = 25 C unless otherwise specified A Characteristic Symbol Valu

 8.2. Size:2006K  cn cbi
 bc1012w.pdf pdf_icon

BC1012T

Plastic-Encapsulate MOSFETS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected up to 2kV Drain Gate Gate Protection Source Diode EQUIVALENT CIRCUIT Maximum Ratings @T = 25 C unless otherwi

Другие IGBT... CS72N12, CS75N45, CS85105A, CS95118, 2SK3018WT, 2SK3019W, 2SK3019WT, BC1012, RFP50N06