BC3401 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BC3401  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BC3401

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BC3401 даташит

 ..1. Size:1094K  cn cbi
 bc3401.pdf pdf_icon

BC3401

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The BC3401 uses advanced trench technology to VDS (V) = -30V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -4.2 A (VGS = -10V) operation with gate voltages as low as 2.5V. This RDS(ON)

 9.1. Size:1092K  cn cbi
 bc3407.pdf pdf_icon

BC3401

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description SOT-23 The BC3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN MARKING 3407 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Paramete

 9.2. Size:1042K  cn cbi
 bc3400.pdf pdf_icon

BC3401

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 FEATURE High dense cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN MARKING 3400 Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Sourc

Другие IGBT... 2SK3018WT, 2SK3019W, 2SK3019WT, BC1012, BC1012T, BC1012W, BC2301, BC3400, AO4407A