DMP2130LDM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMP2130LDM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.3 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT26
Аналог (замена) для DMP2130LDM
DMP2130LDM Datasheet (PDF)
dmp2130ldm.pdf
DMP2130LDMP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low RDS(ON): Case: SOT-26 Case Material Molded Plastic. UL Flammability Rating 94V-0 80 m @VGS = -4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 110 m @VGS = -2.7V Terminals: Finish - Matte Tin
dmp2130l.pdf
DMP2130LP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low RDS(ON): Case: SOT-23 Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. 75 m @VGS = -4.5V UL Flammability Rating 94V-0 110 m @VGS = -2.7V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 12
dmp2130l.pdf
Product specificationDMP2130LP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low RDS(ON): Case: SOT23 Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. 75 m @VGS = -4.5V UL Flammability Rating 94V-0 110 m @VGS = -2.7V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 125 m @VGS = -2.5V Terminals: Finish - Matte Tin anne
dmp213dufa.pdf
DMP213DUFA25V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.4mm Ultra Low Profile Package for Thin Application ID V(BR)DSS RDS(ON) 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25C 10 @ VGS = -4.5V -166mA Low VGS(th), Can be Driven Directly From a Battery -25V 13 @ VGS = -2.7V -138mA Low RDS(on) ESD Protected Gate
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918