Справочник MOSFET. DMP3056LSD

 

DMP3056LSD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMP3056LSD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.8 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 722 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для DMP3056LSD

 

 

DMP3056LSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  diodes
 dmp3056lsd.pdf

DMP3056LSD DMP3056LSD

DMP3056LSDDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Dual P-Channel MOSFET Case: SOP-8L Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 45m @ VGS = -10V Moisture Sensitivity: Level

 0.1. Size:865K  cn vbsemi
 dmp3056lsd-13.pdf

DMP3056LSD DMP3056LSD

DMP3056LSD-13www.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25To

 5.1. Size:170K  diodes
 dmp3056lss.pdf

DMP3056LSD DMP3056LSD

DMP3056LSSSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOP-8L 45m @ VGS = -10V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 65m @ VGS = -4.5V Moisture Sensitivity: Level

 6.1. Size:546K  diodes
 dmp3056l.pdf

DMP3056LSD DMP3056LSD

DMP3056L 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 50m @ VGS =-10V -4.3A -30V Fast Switching Speed 70m @ VGS =-4.5V -3.7A Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen

 6.2. Size:131K  diodes
 dmp3056ldm.pdf

DMP3056LSD DMP3056LSD

DMP3056LDMP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Low RDS(ON): Case: SOT-26 45m @VGS = -10V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Rating 94V-0 65m @VGS = -4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminals: Finish - Matte Tin anneale

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top