DMS2220LFW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMS2220LFW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 632 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: WDFN30208
Аналог (замена) для DMS2220LFW
DMS2220LFW Datasheet (PDF)
dms2220lfw.pdf
DMS2220LFWP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: DFN3020-8 95m @VGS = -4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 120m @VGS = -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 p
dms2220lfdb.pdf
DMS2220LFDBP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR SUPER BARRIER RECTIFIER Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: DFN2020B-6 95m @VGS = -4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 120m @VGS = -2.5V M
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918