STU437S - аналоги и даташиты транзистора

 

STU437S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STU437S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 244 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для STU437S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU437S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  samhop
 stu437s std437s.pdf pdf_icon

STU437S

STU437SGreenProductSTD437SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-40V -32A30 @ VGS=-4.5V GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

 9.1. Size:121K  samhop
 stu432s std432s.pdf pdf_icon

STU437S

GreenProductSTU/D432SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.50A40V11 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

 9.2. Size:110K  samhop
 stu435s std435s.pdf pdf_icon

STU437S

GrPPrPPSTU/D435SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.17.5 @ VGS=10VSuface Mount Package.-40V -38A27 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

 9.3. Size:127K  samhop
 stu438a std438a.pdf pdf_icon

STU437S

GreenProductSTU/D438AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9 @ VGS=10VTO-252 and TO251 Package.40V 47A11 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES(D- )TO - 252AA PAK ( )TO - 251 I - PAK

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMHC10A07T8 , ZXMHC3A01N8 , ZXMHC3A01T8 , ZXMHC3F381N8 , ZXMHC6A07N8 , ZXMHC6A07T8 , ZXMHN6A07T8 , 2SK3115B , CS150N03A8 , STU435S , 2SJ652 , 2SJ656 , 2SK2394 , 2SK3557 , 2SK3666 , 2SK3703 , 2SK3704 .

History: FCA20N60F | CS640A8H

 

 
Back to Top

 


 
.