2N6767. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6767

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO204

Аналог (замена) для 2N6767

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6767 даташит

 ..1. Size:140K  fairchild semi
 2n6767.pdf pdf_icon

2N6767

 9.1. Size:142K  1
 2n6766.pdf pdf_icon

2N6767

 9.2. Size:140K  1
 2n6768.pdf pdf_icon

2N6767

 9.3. Size:140K  1
 2n6764.pdf pdf_icon

2N6767

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N6764JTXV, 2N6765, 2N6766, 2N6766JAN, 2N6766JANTX, 2N6766JANTXV, 2N6766JTX, 2N6766JTXV, 8N60, 2N6768, 2N6768JAN, 2N6768JANTX, 2N6768JANTXV, 2N6768JTX, 2N6768JTXV, 2N6769, 2N6770