2SK897. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK897

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для 2SK897

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK897 даташит

 0.1. Size:134K  1
2sk897-mr.pdfpdf_icon

2SK897

 0.2. Size:137K  fuji
2sk897-m.pdfpdf_icon

2SK897

"2SK897M" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK897M" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK897M" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

 0.3. Size:279K  inchange semiconductor
2sk897-mr.pdfpdf_icon

2SK897

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK897-MR FEATURES Drain Current I = 4.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 550V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sole

Другие IGBT... 2SK738, 2SK739, 2SK799, 2SK801, 2SK802, 2SK814, 2SK875, 2SK876, NCEP15T14, 2SK897-MR, 2SK899, 2SK900, 2SK901, 2SK902, 2SK903, 2SK904, 2SK905