Справочник MOSFET. ATP114

 

ATP114 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATP114
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP114 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  sanyo
 atp114.pdf pdf_icon

ATP114

ATP114Ordering number : ENA1711SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP114ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to

 ..2. Size:376K  onsemi
 atp114.pdf pdf_icon

ATP114

Ordering number : ENA1711AATP114P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 55A, 16m , Single ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Sourc

 9.1. Size:358K  sanyo
 atp113.pdf pdf_icon

ATP114

ATP113Ordering number : ENA1755SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP113ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=22.5m (typ.) Input Capacitance Ciss=2400pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.2. Size:358K  sanyo
 atp112.pdf pdf_icon

ATP114

ATP112Ordering number : ENA1754SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP112ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=33m (typ.) Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , ATP108 , ATP112 , ATP113 , SPP20N60C3 , ATP201 , ATP202 , ATP203 , ATP204 , ATP206 , ATP207 , ATP208 , ATP212 .

History: 2SK3399B | TMU3N50AZ | IRFB4615PBF | IRF9520SPBF | IRF3707SPBF | WTK4228 | IRHQ567110

 

 
Back to Top

 


 
.