ATP114 - описание и поиск аналогов

 

ATP114. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ATP114

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: ATPAK

Аналог (замена) для ATP114

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP114 даташит

 ..1. Size:358K  sanyo
 atp114.pdf pdf_icon

ATP114

ATP114 Ordering number ENA1711 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP114 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to

 ..2. Size:376K  onsemi
 atp114.pdf pdf_icon

ATP114

Ordering number ENA1711A ATP114 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 55A, 16m , Single ATPAK Features ON-resistance RDS(on)1=12m (typ.) Input Capacitance Ciss=4000pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Sourc

 9.1. Size:358K  sanyo
 atp113.pdf pdf_icon

ATP114

ATP113 Ordering number ENA1755 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP113 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=22.5m (typ.) Input Capacitance Ciss=2400pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-

 9.2. Size:358K  sanyo
 atp112.pdf pdf_icon

ATP114

ATP112 Ordering number ENA1754 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP112 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=33m (typ.) Input Capacitance Ciss=1450pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ATP102 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , ATP108 , ATP112 , ATP113 , 2SK3878 , ATP201 , ATP202 , ATP203 , ATP204 , ATP206 , ATP207 , ATP208 , ATP212 .

History: IRFBC20

 

 

 


 
↑ Back to Top
.