Справочник MOSFET. BSS123L

 

BSS123L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSS123L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS123L Datasheet (PDF)

 0.1. Size:93K  motorola
bss123lt1rev2x.pdfpdf_icon

BSS123L

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSS123LT1/DTMOS FET TransistorBSS123LT1NChannel3 DRAINMotorola Preferred Device1GATE32 SOURCE1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 100 VdcCASE 31808, STYLE 21SOT23 (TO236AB)GateSource Voltage Continuous VGS 20 Vdc Nonrepetitive (tp

 0.2. Size:58K  philips
bss123lt1-d.pdfpdf_icon

BSS123L

BSS123LT1Preferred DevicePower MOSFET170 mAmps, 100 VoltsN-Channel SOT-23http://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available170 mAMPS100 VOLTSRDS(on) = 6 WN-Channel3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 100 VdcGate-Source Voltage 1- Continuous VGS 20 Vdc- Non-repetitive (tp 50 ms) VGSM 40 VpkDrain Current Adc2-

 0.3. Size:125K  infineon
bss123l6327 bss123l6433.pdfpdf_icon

BSS123L

Rev. 1.41BSS123SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 100 V N-ChannelRDS(on) 6 Enhancement modeID 0.17 A Logic LevelPG-SOT23 dv/dt rated3Drainpin 3Gate Qualified according to AEC Q101pin12Sourcepin 21VPS05161Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingPG-SOT23 YesBSS123 L6327: 3000 pcs/reel SAs

 0.4. Size:109K  onsemi
bss123lt1g bvss123lt1g.pdfpdf_icon

BSS123L

BSS123LT1G,BVSS123LT1GPower MOSFET170 mAmps, 100 VoltsN-Channel SOT-23http://onsemi.comFeatures 170 mAMPS BVSS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring100 VOLTSUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101RDS(on) = 6 WQualified and PPAP CapableN-Channel These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF6614 | 2SK3430-ZJ | IXFH58N20Q | R6535KNZ1 | SSM3J01F | 2SK3579-01MR | VSE002N03MS-G

 

 
Back to Top

 


 
.