EC4401C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EC4401C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.58 nC
trⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
Тип корпуса: ECSP1008-4
EC4401C Datasheet (PDF)
ec4401c.pdf
Ordering number : ENN7015EC4401CN-Channel Silicon MOSFETEC4401CSmall Signal Switch and Interface ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2197 2.5V drive.[EC4401C]0.50.2 0.20.053 42 1(Bottom view)0.05 1 : Gate2 : Source3 : Drain4 : Drain0.8SANYO : E-CSP1008-4SpecificationsAbsolute Maxim
ec4406c.pdf
Ordering number : ENA0941EC4406CSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEC4406CApplicationsFeatures 1.5V drive. Halogen Free compliance (UL94 HB).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Curr
ec4403c.pdf
Ordering number : ENN7038EC4403CN-Channel Silicon MOSFETEC4403CSmall Signal Switch, Interface ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2197 4V drive.[EC4403C]0.50.2 0.20.053 42 1(Bottom view)0.051 : Gate2 : Source3 : Drain4 : Drain0.8SANYO : E-CSP1008-4SpecificationsAbsolute Maximum R
ec4402c.pdf
Ordering number : ENN7037EC4402CN-Channel Silicon MOSFETEC4402CSmall Signal Switch, Interface ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2197 2.5V drive.[EC4402C]0.50.2 0.20.053 42 1(Bottom view)0.051 : Gate2 : Source3 : Drain4 : Drain0.8SANYO : E-CSP1008-4SpecificationsAbsolute Maximum
ec4407kf.pdf
Ordering number : ENN8397 EC4407KFN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEC4407KFApplicationsFeatures Low ON-resistance. 1.8V drive. mounting height : 0.4mm.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 20 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) ID 1.3 A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918