ECH8315 - аналоги и даташиты транзистора

 

ECH8315 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ECH8315
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: ECH8
 

 Аналог (замена) для ECH8315

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECH8315 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  sanyo
 ech8315.pdf pdf_icon

ECH8315

ECH8315Ordering number : ENA1387SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8315ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS

 8.1. Size:284K  sanyo
 ech8310.pdf pdf_icon

ECH8315

ECH8310Ordering number : ENA1430SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8310ApplicationsFeatures 4V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC)

 9.1. Size:286K  sanyo
 ech8320.pdf pdf_icon

ECH8315

ECH8320Ordering number : ENA1429SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8320ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 1.8V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --20 VGate-to-Source Voltage VGSS

 9.2. Size:35K  sanyo
 ech8302.pdf pdf_icon

ECH8315

Ordering number : ENN8247ECH8302P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8302ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --7 ADrain Current (Pulse) IDP PW

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CPH6444 , CPH6445 , EC3A03B , EC3A04B , EC4401C , ECH8308 , ECH8309 , ECH8310 , IRF1405 , ECH8320 , ECH8410 , ECH8419 , ECH8601M , ECH8602M , ECH8649 , ECH8651R , ECH8652 .

History: 2N6768JTX | ECH8653 | 2N6769 | JMPL1050APD | FMH30N60S1 | VS4604AD | FQP6N40C

 

 
Back to Top

 


 
.