ECH8657. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ECH8657
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm
Тип корпуса: ECH8
Аналог (замена) для ECH8657
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ECH8657 даташит
ech8657.pdf
ECH8657 Ordering number ENA1710A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8657 Applications Features 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 35 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID
ech8657.pdf
Ordering number ENA1710B ECH8657 N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 35V, 4.5A, 59m , Dual ECH8 Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 35 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID 4.5 A Drain Curre
ech8654.pdf
Ordering number ENA0981 ECH8654 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8654 Applications Features Low ON-resistance. 1.8V drive. Halogen free compliance. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --20 V Gate-to-Source Voltage VGSS
ech8659.pdf
ECH8659 Ordering number ENA1224A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8659 Applications Features 4V drive Composite type, facilitating high-density mounting Halogen free compliance Protection diode in Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-So
Другие MOSFET... ECH8601M , ECH8602M , ECH8649 , ECH8651R , ECH8652 , ECH8653 , ECH8654 , ECH8655R , IRFP064N , ECH8659 , ECH8660 , ECH8661 , ECH8662 , ECH8663R , ECH8664R , ECH8667 , ECH8668 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor










