ECH8673. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ECH8673
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: ECH8
Аналог (замена) для ECH8673
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ECH8673 даташит
ech8673.pdf
ECH8673 Ordering number ENA1892 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device ECH8673 Applications Features ON-resistance Nch RDS(on)1=65m (typ.), Pch ON-resistance RDS(on)1=125m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Nch+Pch MOSFET Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Paramet
ech8674.pdf
ECH8674 Ordering number ENA1436 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8674 Applications Features 1.8V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --1
ech8675.pdf
ECH8675 Ordering number ENA1437 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8675 Applications Features 1.8V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --2
ech8671.pdf
ECH8671 Ordering number ENA1456 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8671 Applications Features 1.8V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --1
Другие MOSFET... ECH8659 , ECH8660 , ECH8661 , ECH8662 , ECH8663R , ECH8664R , ECH8667 , ECH8668 , IRF540 , EFC4618R , EMH1303 , EMH1307 , EMH1405 , EMH2308 , EMH2407 , EMH2408 , EMH2409 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet





