MCH3374 - описание и поиск аналогов

 

MCH3374. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCH3374

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: MCPH3

Аналог (замена) для MCH3374

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCH3374 даташит

 ..1. Size:264K  sanyo
mch3374.pdfpdf_icon

MCH3374

Ordering number ENA0857 MCH3374 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH3374 General-Purpose Switching Device Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VGSS

 ..2. Size:569K  onsemi
mch3374.pdfpdf_icon

MCH3374

MCH3374 Power MOSFET 12V, 70m , 3A, Single P-Channel This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor s trench technology,which is specifically designed to minimize gate charge and low www.onsemi.com on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-R

 8.1. Size:379K  1
mch3375.pdfpdf_icon

MCH3374

MCH3375 Ordering number ENA0342 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device MCH3375 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=227m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --30 V Gate-to-Sourc

 8.2. Size:276K  sanyo
mch3376.pdfpdf_icon

MCH3374

MCH3376 Ordering number ENA1564 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device MCH3376 Applications Features Low ON-resistance. 1.8V drive. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --20 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V Drain Current (DC) ID

Другие MOSFET... FW282 , FW707 , FW811 , FW812 , FW813 , FW906 , FW907 , J310 , IRF630 , MCH3377 , MCH3383 , MCH3475 , MCH3477 , MCH3484 , MCH6320 , MCH6321 , MCH6331 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.