MGSF1N03L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MGSF1N03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для MGSF1N03L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MGSF1N03L даташит
mgsf1n03l mvgsf1n03l.pdf
MGSF1N03L, MVGSF1N03L MOSFET Single, N-Channel, SOT-23 30 V, 2.1 A These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal www.onsemi.com for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc-dc converters and power management in portable V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX and battery-powered
mgsf1n03l mvgsf1n03l.pdf
Product specification MGSF1N03L, MVGSF1N03L Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX 30 V, 2.1 A, Single N-Channel, SOT-23 80 mW @ 10 V 30 V 2.1 A These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure 125 mW @ 4.5 V minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical N-Channel applications are dc-dc con
mgsf1n03lt1rev4.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGSF1N03LT1/D MGSF1N03LT1 Motorola Preferred Device Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single N-Channel N CHANNEL ENHANCEMENT MODE Field Effect Transistors TMOS MOSFET Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy conserving traits. These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola
mgsf1n03lt1.pdf
MGSF1N03LT1 Preferred Device Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N-Channel, SOT-23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical http //onsemi.com http //onsemi.com applications are dc-dc converters and power management in portable and battery-power
Другие MOSFET... MCH6437 , MCH6444 , MCH6445 , MCH6601 , MCH6602 , MCH6604 , MCH6613 , MGSF1N02L , NCEP15T14 , MGSF2N02EL , MLD1N06CL , MMBF0201NL , MMBF170L , MMBF2201N , MMBF4391L , MMBF4392L , MMBF4393L .
History: G1825
History: G1825
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor





