MMBFJ309L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMBFJ309L
Маркировка: 6U
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
Тип корпуса: SOT23
MMBFJ309L Datasheet (PDF)
mmbfj309lt1 mmbfj310lt1.pdf
MMBFJ309LT1G,MMBFJ310LT1GJFET - VHF/UHF AmplifierTransistorN-Channelhttp://onsemi.comFeatures2 SOURCE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant3GATEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit1 DRAINDrain-Source Voltage VDS 25 VdcGate-Source Voltage VGS 25 VdcGate Current IG 10 mAdc3SOT-23 (TO-236)THERMAL CHARACTERISTICS CASE 31
mmbfj309 mmbfj310.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBFJ309LT1/DJFET VHF/UHF Amplifier TransistorMMBFJ309LT1NChannel2 SOURCEMMBFJ310LT13GATE1 DRAIN31MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDS 25 VdcCASE 31808, STYLE 10GateSource Voltage VGS 25 Vdc SOT23 (TO236AB)Gate Current IG 10 mAdcTHERMAL CHARACTERISTICS
j309 j310 mmbfj309 mmbfj310.pdf
December 2010J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ310N-Channel RF AmplifierFeatures This device is designed for VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer applications. As a common gate amplifier, 16 dB at 100 MHz and 12 dB at 450 MHz can be realized. Sourced from Process 92. Source & Drain are interchangeable.J309 MMBFJ309J310 MMBFJ310GSSOT-23G TO-92 Mark MMBFJ309
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918