Справочник MOSFET. MTD5P06V

 

MTD5P06V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTD5P06V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для MTD5P06V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD5P06V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  motorola
 mtd5p06v.pdf pdf_icon

MTD5P06V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD5P06V/DDesigner's Data SheetMTD5P06VTMOS V.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETPChannel EnhancementMode Silicon Gate 5 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-RDS(on) = 0.450 OHMtance area product about o

 0.1. Size:245K  motorola
 mtd5p06vrev1a.pdf pdf_icon

MTD5P06V

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD5P06V/DDesigner's Data SheetMTD5P06VTMOS V.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETPChannel EnhancementMode Silicon Gate 5 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-RDS(on) = 0.450 OHMtance area product about o

 0.2. Size:75K  onsemi
 mtd5p06v-d mtd5p06vt4 mtd5p06vt4g.pdf pdf_icon

MTD5P06V

MTD5P06VPreferred DevicePower MOSFET5 Amps, 60 Volts P-Channel DPAKThis Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. Designed for low voltage, highspeed switching applications in power supplies, converters and powerhttp://onsemi.commotor controls, these devices are particularly well suited for bridgecircuits where diode speed and com

 0.3. Size:828K  cn vbsemi
 mtd5p06vt4g.pdf pdf_icon

MTD5P06V

MTD5P06VT4Gwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZVN4424G

 

 
Back to Top

 


 
.