MTP20N15E - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

MTP20N15E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: MTP20N15E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 112 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 39.1 nC
   Время нарастания (tr): 77 ns
   Выходная емкость (Cd): 332 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для MTP20N15E

MTP20N15E Datasheet (PDF)

0.1. Size:113K onsemi
mtp20n15e-d.pdf

MTP20N15EPower MOSFET20 Amps, 150 VoltsN-Channel TO-220This Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. The energy efficient design alsohttp://onsemi.comoffers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed forlow voltage, high speed switching applications in power converters20 AMPERESand PWM motor controls, these dev

0.2. Size:110K onsemi
mtp20n15eg.pdf